ON Semiconductor FGH50N6S2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 30A, 3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

463W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

75A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

463W

输入类型

Standard

接通延迟时间

13 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

15ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.7V

最大集电极电流

75A

接通时间

28 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

180 ns

闸门收费

70nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

Td（开/关）@25°C

13ns/55ns

开关能量

260μJ (on), 250μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅