ON Semiconductor FJB3307DTM

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.72W

终端形式

鸥翼

基本部件号

FJB3307

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.72W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 5A 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 2A, 8A

最高频率

1MHz

最大击穿电压

400V

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

连续集电极电流

8A

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准