ON Semiconductor FJP1943OTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230V

Number of Elements

1

hFEMin

55

操作温度

-50°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

80W

频率

30MHz

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1A 5V

最大集极截止电流

5μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 800mA, 8A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

-230V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅