ON Semiconductor FJP2145TU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Collector-Emitter Saturation Voltage

151mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~125°C TJ

包装

Tube

系列

ESBC™

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

120W

元素配置

Single

功率耗散

120W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 200mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 300mA, 1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

转换频率

28.4MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.1kV

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant