对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最大功率耗散 | 元素配置 | 功率耗散 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 增益带宽积 | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) | 栅极至源极电压(Vgs) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 转换频率 | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 发射极基极电压 (VEBO) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJP2145TU | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | Bulk | 5 A | FJP214 | 活跃 | Fairchild Semiconductor | -55°C ~ 125°C (TJ) | ESBC™ | 120 W | NPN | 20 @ 200mA, 5V | 10µA (ICBO) | 2V @ 300mA, 1.5A | 800 V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FJP2145TU | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | 通孔 | 通孔 | TO-220-3 | 3 | 1.8g | SILICON | 151mV | 800V | 1 | 20 | -55°C~125°C TJ | Tube | 2013 | ESBC™ | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 120W | Single | 120W | SWITCHING | 15MHz | NPN | NPN | 800V | 5A | 20 @ 200mA 5V | 10μA ICBO | 2V @ 300mA, 1.5A | 20V | 28.4MHz | 1.1kV | 7V | 16.51mm | 10.67mm | 4.83mm | 无 | ROHS3 Compliant |


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