FP7G75US60
FP7G75US60

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥260.873917

  • 10

    ¥246.10747

  • 100

    ¥232.17686

  • 500

    ¥219.034772

  • 1000

    ¥206.636577

ON Semiconductor FP7G75US60

  • 收藏
  • 对比

型号

FP7G75US60

utmel 编号

1807-FP7G75US60

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

EPM7

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
FP7G75US60
FP7G75US60 ON Semiconductor IGBT MODULE 600V 75A 310W EPM7

单价: $

合计:

库存:2335

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

FP7G75US60详情

ON Semiconductor FP7G75US60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    EPM7

  • 引脚数

    7

  • 供应商器件包装

    EPM7

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    75A

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 系列

    Power-SPM™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 最大功率耗散

    310W

  • 配置

    半桥

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    310W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    75A

  • 最大集极截止电流

    250μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600V

  • 输入电容

    4.515nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.8V @ 15V, 75A

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    4.515nF @ 30V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FP7G75US60.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FP7G75US60相似的参数规格。

查看更多

FP7G75US60拓展信息

FMG2G75US120
FMG2G75US120

ON Semiconductor

NXH80B120H2Q0SG
NXH80B120H2Q0SG

ON Semiconductor

FPF2G120BF07ASP
FPF2G120BF07ASP

ON Semiconductor

FP7G100US60
FP7G100US60

ON Semiconductor

FMG2G400US60
FMG2G400US60

ON Semiconductor

HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D

ON Semiconductor

NXH160T120L2Q2F2SG
NXH160T120L2Q2F2SG

ON Semiconductor

FMS7G15US60
FMS7G15US60

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z