ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 10A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

298W

终端形式

鸥翼

额定电流

35A

基本部件号

HGT1S10N120

JESD-30代码

R-PSSO-G2

上升时间-最大值

15ns

元素配置

Single

功率耗散

298W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

35A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大击穿电压

1.2kV

接通时间

32 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 10A

连续集电极电流

55A

关断时间-标准值（toff)

330 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

100nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

23ns/165ns

开关能量

320μJ (on), 800μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

最大下降时间 (tf)

200ns

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅