ON Semiconductor HGT1S2N120CN

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V

Test Conditions

960V, 2.6A, 51 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

104W

额定电流

13A

元素配置

Single

功率耗散

104W

输入类型

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

13A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 2.6A

IGBT类型

NPT

闸门收费

30nC

集极脉冲电流（Icm）

20A

Td（开/关）@25°C

25ns/205ns

开关能量

96μJ (on), 355μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅