ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 1A, 82 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

67 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

60W

终端形式

鸥翼

额定电流

5.3A

基本部件号

HGTD1N120

JESD-30代码

R-PSSO-G2

上升时间-最大值

14ns

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

5.3A

JEDEC-95代码

TO-252AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大击穿电压

1.2kV

接通时间

24 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 1A

关断时间-标准值（toff)

333 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

14nC

集极脉冲电流（Icm）

6A

Td（开/关）@25°C

15ns/67ns

开关能量

70μJ (on), 90μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅