ON Semiconductor HGTG12N60A4

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Test Conditions

390V, 12A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

167W

额定电流

54A

基本部件号

HGTG12N60

元素配置

Single

功率耗散

167W

输入类型

Standard

上升时间

8ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

54A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 12A

闸门收费

78nC

集极脉冲电流（Icm）

96A

Td（开/关）@25°C

17ns/96ns

开关能量

55μJ (on), 50μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅