ON Semiconductor KSB1366G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

2W

额定电流

-3A

频率

9MHz

基本部件号

KSB1366

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

9MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

转换频率

9MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅