ON Semiconductor KSC1845FTA

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

200

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

70mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

已出版

2002

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

50mA

频率

110MHz

基本部件号

KSC1845

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

110MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

110MHz

最大击穿电压

120V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

3.86mm

长度

4.58mm

高度

4.58mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅