ON Semiconductor KSC5024RTU

底架

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

安装类型

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

hFEMin

15

Number of Elements

1

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

500V

最大功率耗散

90W

额定电流

10A

频率

18MHz

元素配置

Single

功率耗散

90W

增益带宽积

18MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 800mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 800mA, 4A

集电极基极电压(VCBO)

800V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅