ON Semiconductor MJE3055TTU

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

525V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

75W

额定电流

10A

频率

2MHz

基本部件号

MJE3055

元素配置

Single

功率耗散

600mW

功率 - 最大

75W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

转换频率

2MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

14.2mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅