KSH112GTM
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ON Semiconductor KSH112GTM

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型号

KSH112GTM

utmel 编号

1807-KSH112GTM

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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KSH112GTM
KSH112GTM ON Semiconductor TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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KSH112GTM详情

ON Semiconductor KSH112GTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    100V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 最大功率耗散

    1.75W

  • 额定电流

    2A

  • 基本部件号

    KSH112

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    20W

  • 晶体管类型

    NPN - Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    100V

  • 最大集电极电流

    2A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    1000 @ 2A 3V

  • 最大集极截止电流

    20μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    3V @ 40mA, 4A

  • 频率转换

    25MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 连续集电极电流

    2A

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor KSH112GTM.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & KSH112GTM相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Frequency - Transition
    Collector Emitter Saturation Voltage
    Max Power Dissipation
    查看对比:
  • KSH112GTM

    KSH112GTM

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    NPN

    100 V

    2 A

    25MHz

    2 V

    1.75 W

  • 2DB1182Q-13

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -

    32 V

    2 A

    -

    -800 mV

    10 W

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KSH112GTM拓展信息

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