ON Semiconductor KSH42CTM

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

20W

终端形式

鸥翼

频率

3MHz

基本部件号

KSH42

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.75W

功率 - 最大

20W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 3A 4V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 600mA, 6A

转换频率

3MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant