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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.833447
10
¥3.616459
100
¥3.411751
500
¥3.218639
1000
¥3.03645
ON Semiconductor MCH6603-TL-H
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- 对比
MCH6603-TL-H
1807-MCH6603-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
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P-Channel Power MOSFET, -50V, -0.14A, 23 Ohm, Dual MCPH6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH6603-TL-H详情
ON Semiconductor MCH6603-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 22 hours ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
160 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
功率耗散
800mW
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
23 Ω @ 40mA, 4V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7.4pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
50V
下降时间(典型值)
150 ns
连续放电电流(ID)
140mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
-50V
场效应管特性
Logic Level Gate, 1.5V Drive
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MCH6603-TL-H拓展信息







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