ON Semiconductor MCH6660-TL-H

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A 1.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14.5 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

800mW

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

136m Ω @ 1A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

128pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.8nC @ 4.5V

上升时间

11ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

850μm

长度

2mm

宽度

1.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅