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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥54.638317
10
¥51.54558
100
¥48.627907
500
¥45.875387
1000
¥43.278666
ON Semiconductor MJB5742T4G
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- 对比
MJB5742T4G
1807-MJB5742T4G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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ON SEMICONDUCTOR - MJB5742T4G - TRANS, DARL, NPN, 400V, 8A, TO263AB
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¥
总价: ¥
MJB5742T4G详情
ON Semiconductor MJB5742T4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
质量
2.000002g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
基本部件号
MJB5742
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
极性
NPN
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
100W
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 4A 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 400mA, 8A
最大击穿电压
400V
发射极基极电压 (VEBO)
8V
连续集电极电流
8A
高度
4.83mm
长度
10.29mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJB5742T4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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