ON Semiconductor MJD200T4

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

1.4W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD200

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

12.5W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

65MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

45 @ 2A 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 500mA

转换频率

65MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅