MMBT2222A
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ON Semiconductor MMBT2222A

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型号

MMBT2222A

utmel 编号

1807-MMBT2222A

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 40V 1A SOT-23

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MMBT2222A
MMBT2222A ON Semiconductor TRANS NPN 40V 1A SOT-23

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MMBT2222A详情

ON Semiconductor MMBT2222A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    142 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 质量

    59.987591mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    40V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1A

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    40V

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 额定电流

    500mA

  • 频率

    300MHz

  • 基本部件号

    MMBT2222

  • 极性

    NPN

  • 电压

    40V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    6A

  • 功率耗散

    350mW

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40V

  • 最大集电极电流

    600mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA 10V

  • 最大集极截止电流

    10nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1V @ 50mA, 500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    40V

  • 最高频率

    300MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 频率转换

    300MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    75V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3.05mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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