ON Semiconductor MMBT3646

生命周期状态

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工厂交货时间

39 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

625mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

300A

基本部件号

MMBT3646

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 30mA 400mV

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 30mA, 300mA

最高频率

1MHz

最大击穿电压

15V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

28ns

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

高度

930μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅