ON Semiconductor MMBT918

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

50mA

频率

600MHz

基本部件号

MMBT918

元素配置

Single

功率耗散

225mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

600MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3mA 1V

增益

15dB

转换频率

600MHz

最大击穿电压

15V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

噪音数字(分贝类型@ f)

6dB @ 60MHz

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅