ON Semiconductor MMBTH10-4LT1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

4mA

频率

800MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MMBTH10

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300mW

增益带宽积

800MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 4mA 10V

转换频率

800MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

集电极电流-最大值(IC)

0.025A

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅