ON Semiconductor MMDF3N04HDR2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE ENERGY RATED

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

1.39W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MMDF3N04HD

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 32V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

15ns

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.4A

漏源击穿电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

96 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅