ON Semiconductor MPS5179G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

25

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

12V

最大功率耗散

200mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50mA

频率

2GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MPS5179

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

200W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2 GHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 3mA 1V

转换频率

900MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅