ON Semiconductor MPSH10

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 2 hours ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

引脚数

3

质量

195mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Frequency(Max)

650MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW

hFEMin

60

包装

Bulk

已出版

1996

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

25V

额定电流

50mA

频率

650MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

650MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

频率转换

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅