ON Semiconductor MSD2714AT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

hFEMin

90

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

225mW

增益带宽积

650MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

90 @ 1mA 6V

转换频率

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅