ON Semiconductor MVDF1N05ER2G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA LOW ON RESISTANCE

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

50V

连续放电电流(ID)

2A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

DS 击穿电压-最小值

50V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准