NDBA100N10BT4H
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ON Semiconductor NDBA100N10BT4H

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型号

NDBA100N10BT4H

utmel 编号

1807-NDBA100N10BT4H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 100V 100A DPAK

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NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 100A DPAK

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NDBA100N10BT4H详情

ON Semiconductor NDBA100N10BT4H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    100A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V 15V

  • Power Dissipation (Max)

    110W Tc

  • Turn Off Delay Time

    68 ns

  • 操作温度

    175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 接通延迟时间

    40 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6.9m Ω @ 50A, 15V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2950pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    35nC @ 10V

  • 上升时间

    385ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    52 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NDBA100N10BT4H相似的参数规格。

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