ON Semiconductor NDC7003P
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NDC7003P
1807-NDC7003P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R
--最小包装量--
NDC7003P详情
ON Semiconductor NDC7003P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
340mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
5Ohm
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
960mW
终端形式
鸥翼
额定电流
-220mA
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
960mW
接通延迟时间
3.2 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 340mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
66pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.2nC @ 10V
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
-340mA
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.34A
漏源击穿电压
-60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-1.9 V
最小击穿电压
60V
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NDC7003P拓展信息










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