ON Semiconductor NDS8852H
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NDS8852H
1807-NDS8852H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
1最小包装量--
NDS8852H详情
ON Semiconductor NDS8852H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A 3.4A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
NDS8852H拓展信息








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