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技术文档
型号
NDS8852H
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-NDS8852H
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
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NDS8852H详情
技术参数
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ON Semiconductor NDS8852H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A 3.4A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
技术文档: ON Semiconductor NDS8852H.
NDS8852H拓展信息
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公司资质
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