ON Semiconductor NDS8947

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

65mOhm

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-4A

行间距

6.3 mm

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

690pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

-4A

阈值电压

-1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-1.6 V

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅