ON Semiconductor NGTB20N120IHRWG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Test Conditions

600V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

384W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

384W

输入类型

Standard

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

40A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 20A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

225nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

-/235ns

开关能量

450μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.4mm

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅