ON Semiconductor NGTB30N120IHLWG

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.500007g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.75V

Test Conditions

600V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

260W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

260W

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

60A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

420nC

集极脉冲电流（Icm）

320A

Td（开/关）@25°C

-/360ns

开关能量

1mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅