ON Semiconductor NJVMJD112G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.75W

元素配置

Single

功率 - 最大

1.75W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 2A 3V

最大集极截止电流

20μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

转换频率

25MHz

频率转换

25MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅