ON Semiconductor NJW21194G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

29 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

4V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

200mW

频率

4MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

250V

最大集电极电流

16A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 3.2A, 16A

转换频率

4MHz

最大击穿电压

250V

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅