ON Semiconductor NTGD3133PT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

560mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

145m Ω @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4.5V

上升时间

12.7ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

12.7 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.145Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅