ON Semiconductor NTGD4167CT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A 1.9A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

90MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTGD4167C

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4.5V

上升时间

8ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

阈值电压

900mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅