ON Semiconductor NTGD4169FT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-25°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

900mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

295pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4.5V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅