ON Semiconductor NTJD1155LT1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

电压 - 额定直流

-8V

最大功率耗散

400mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-1.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NTJD1155

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

175m Ω @ 1.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

漏源电压 (Vdss)

8V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

1V

漏极-源极导通最大电阻

0.175Ohm

漏源击穿电压

-8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅