ON Semiconductor NTJD4158CT2G

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA 880mA

Turn Off Delay Time

13.5 ns

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

270mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NTJD4158C

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

270mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 10mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

33pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 5V

上升时间

6.5ns

漏源电压 (Vdss)

30V 20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

6.5 ns

连续放电电流(ID)

880mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

漏极-源极导通最大电阻

2.5Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅