ON Semiconductor NTLGD3502NT1G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A 3.6A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

8.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.74W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTLGD3502N

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.74W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

上升时间

17.5ns

下降时间（典型值）

17.5 ns

连续放电电流(ID)

3.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3A

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17.2A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅