ON Semiconductor NTLJD4116NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

710mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

427pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 4.5V

上升时间

11.8ns

下降时间（典型值）

11.8 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅