ON Semiconductor NTLUS3A18PZTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

11 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

µCool™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

引脚数量

6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.6 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18m Ω @ 7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2240pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

88 ns

连续放电电流(ID)

5.1A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.018Ohm

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅