ON Semiconductor NTMD2P01R2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-16V

最大功率耗散

710mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

16V

下降时间（典型值）

29 ns

连续放电电流(ID)

-3.85A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

漏源击穿电压

-16V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9A

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅