ON SEMICONDUCTOR NTMD3P03R2

工厂交货时间

[object Object]

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.34A

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.73W

反馈上限-最大值 (Crss)

135 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant