ON Semiconductor NTMD4840NR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

31 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

800mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTMD4840N

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.95W

接通延迟时间

7.6 ns

功率 - 最大

680mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 6.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 10V

上升时间

5ns

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

5.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅