ON Semiconductor NTMD6N04R2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTMD6N04

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

15 ns

功率 - 最大

1.29W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

34m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 32V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

40V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.034Ohm

漏源击穿电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅